Titre :	Propriétés électroniques des nanojonctions et systèmes en sandwiches A/B/A désordonnés…en se basant sur la PMFT (Phase Matching Field Theory) avec application Si/Ge
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Zouaneb ، Aicha, Auteur
Editeur :	جامعة احمد درايعية ادرار
Année de publication :	2024
Langues :	Français (fre)
Résumé :	Résumé Les nano-objets présentent un intérêt en raison de leurs propriétés électroniques et de leur potentiel d'application en nanotechnologie. Par exemple, les nano-cristaux de silicium et de germanium montrent une photoluminescence visible, ce qui ouvre des perspectives d'application en optoélectronique et en nano-électronique, avec des capacités de stockage prometteuses. Cependant, la présence de défauts dans ces systèmes cristallins rompt leur symétrie, les transformant en systèmes désordonnés. Cela nécessite le développement de nouvelles méthodes expérimentales et théoriques, telles que la méthode de raccordement de champ de phase (PMFT), pour comprendre les différents processus physiques qui se produisent, en étudiant notamment la dynamique de localisation, de propagation et de diffusion des ondes dans les milieux avec brisure de symétrie, en particulier pour les milieux de basse dimensionnalité en fonction de la fréquence de l'onde excitatrice et des grandeurs physiques caractérisant ces milieux. La description du système avec la méthode des liaisons fortes (TB) en dehors de la région perturbée, en résolvant l'équation de Schrِdinger dans cette zone, permet de trouver la dispersion électronique. En combinant la PMFT (Phase Matching Field Theory) avec la méthode des liaisons fortes et le formalisme Landauer Buttiker, nous disposons d'outils puissants pour étudier les propriétés de diffusion électronique des systèmes en sandwiches et de systèmes de basse dimension avec brisure de symétrie, en reliant les états électroniques en volume à ceux des nanojonctions. Pour comprendre le transport électronique et la conductivité thermique dans ces structures, il est crucial de connaître les processus de dispersion et de diffusion des états électroniques aux nanojonctions. Nos résultats montrent que le comportement des électrons aux surfaces alliages et aux puits est modifié par rapport au volume. Ainsi, les défauts créent de nouveaux états électroniques localisés dans la zone perturbée. Ces états sont des signatures caractéristiques de chaque configuration cristalline et de chaque type de défaut. The work carried out in the context of this thesis aims to improve our understanding of electronic properties by studying the effect of structural and implanted defects on these properties in various systems, such as nanoscale junctions and sandwich systems for metallic alloy surfaces with fcc structure, atomic well, and atomic chain. Nano-objects are of interest due to their electronic properties and their potential applications in nanotechnology. For example, silicon and germanium nanocrystals exhibit visible photoluminescence, opening up prospects for applications in optoelectronics and nano-electronics, with promising storage capabilities. However, the presence of defects in these crystalline systems breaks their symmetry, transforming them into disordered systems. This requires the development of new experimental and theoretical methods, such as the Phase Matching Field Theory (PMFT), to understand the different physical processes that occur, especially studying the localization, propagation and scattering of electronic excitations across the disorder nano-devices. An alternative way to describe the system is by utilizing the Tight-Binding (TB) method outside of the perturbed region and solving the Schrِdinger equation in that zone. This approach enables us to obtain information about the electronic dispersion. In addition, combining the Phase Matching Field Theory (PMFT) with the Tight-Binding method and the Landauer Buttiker formalism, we have powerful tools to study the electronic scattering properties of sandwich systems and low-dimensional systems with broken symmetry, linking the bulk electronic states to those of nanojunctions. To understand electronic transport and thermal conductivity in these structures, it is crucial to understand the processes of dispersion and diffusion of electronic states at nanojunction. Our results show that the electrons behavior on alloys surface and in nano-wells is modified compared to the bulk. Consequently, defects generate new localized electronic states in the perturbed zone. These states serve as distinct signatures for each crystalline configuration and defect type.

Propriétés électroniques des nanojonctions et systèmes en sandwiches A/B/A désordonnés…en se basant sur la PMFT (Phase Matching Field Theory) avec application Si/Ge [texte imprimé] / Zouaneb ، Aicha, Auteur . - جامعة احمد درايعية ادرار, 2024.
Langues : Français (fre)

Résumé :

Résumé Les nano-objets présentent un intérêt en raison de leurs propriétés électroniques et de leur potentiel d'application en nanotechnologie. Par exemple, les nano-cristaux de silicium et de germanium montrent une photoluminescence visible, ce qui ouvre des perspectives d'application en optoélectronique et en nano-électronique, avec des capacités de stockage prometteuses. Cependant, la présence de défauts dans ces systèmes cristallins rompt leur symétrie, les transformant en systèmes désordonnés. Cela nécessite le développement de nouvelles méthodes expérimentales et théoriques, telles que la méthode de raccordement de champ de phase (PMFT), pour comprendre les différents processus physiques qui se produisent, en étudiant notamment la dynamique de localisation, de propagation et de diffusion des ondes dans les milieux avec brisure de symétrie, en particulier pour les milieux de basse dimensionnalité en fonction de la fréquence de l'onde excitatrice et des grandeurs physiques caractérisant ces milieux. La description du système avec la méthode des liaisons fortes (TB) en dehors de la région perturbée, en résolvant l'équation de Schrِdinger dans cette zone, permet de trouver la dispersion électronique. En combinant la PMFT (Phase Matching Field Theory) avec la méthode des liaisons fortes et le formalisme Landauer Buttiker, nous disposons d'outils puissants pour étudier les propriétés de diffusion électronique des systèmes en sandwiches et de systèmes de basse dimension avec brisure de symétrie, en reliant les états électroniques en volume à ceux des nanojonctions. Pour comprendre le transport électronique et la conductivité thermique dans ces structures, il est crucial de connaître les processus de dispersion et de diffusion des états électroniques aux nanojonctions. Nos résultats montrent que le comportement des électrons aux surfaces alliages et aux puits est modifié par rapport au volume. Ainsi, les défauts créent de nouveaux états électroniques localisés dans la zone perturbée. Ces états sont des signatures caractéristiques de chaque configuration cristalline et de chaque type de défaut. The work carried out in the context of this thesis aims to improve our understanding of electronic properties by studying the effect of structural and implanted defects on these properties in various systems, such as nanoscale junctions and sandwich systems for metallic alloy surfaces with fcc structure, atomic well, and atomic chain. Nano-objects are of interest due to their electronic properties and their potential applications in nanotechnology. For example, silicon and germanium nanocrystals exhibit visible photoluminescence, opening up prospects for applications in optoelectronics and nano-electronics, with promising storage capabilities. However, the presence of defects in these crystalline systems breaks their symmetry, transforming them into disordered systems. This requires the development of new experimental and theoretical methods, such as the Phase Matching Field Theory (PMFT), to understand the different physical processes that occur, especially studying the localization, propagation and scattering of electronic excitations across the disorder nano-devices. An alternative way to describe the system is by utilizing the Tight-Binding (TB) method outside of the perturbed region and solving the Schrِdinger equation in that zone. This approach enables us to obtain information about the electronic dispersion. In addition, combining the Phase Matching Field Theory (PMFT) with the Tight-Binding method and the Landauer Buttiker formalism, we have powerful tools to study the electronic scattering properties of sandwich systems and low-dimensional systems with broken symmetry, linking the bulk electronic states to those of nanojunctions. To understand electronic transport and thermal conductivity in these structures, it is crucial to understand the processes of dispersion and diffusion of electronic states at nanojunction. Our results show that the electrons behavior on alloys surface and in nano-wells is modified compared to the bulk. Consequently, defects generate new localized electronic states in the perturbed zone. These states serve as distinct signatures for each crystalline configuration and defect type.